株式會(huì)社FLOSFIA
會(huì)社概要(2021年10月現(xiàn)在)
- 2011年3月31日設(shè)立 京都大學(xué)発ベンチャー企業(yè)
- 資本金は準(zhǔn)備金を含めて42億円
主要株主:三菱重工業(yè)、安川電機(jī)、DENSO、ブラザー工業(yè) 等 - 事業(yè)內(nèi)容
①次世代半導(dǎo)體「酸化ガリウム」を用いたGaO?デバイスの開(kāi)発?製造
②成膜合成技術(shù)プラットフォームであるミストドライ?法による新たな電子産業(yè)材料の開(kāi)発?製造 - 世界各國(guó)に600件を超える特許を出願(yuàn)済み
- ISO9001:2015、ISO14001:2015認(rèn)証取得済み
- セミファブレスモデルにより事業(yè)の垂直立ち上げが可能
GaO?パワーデバイスとは
酸化ガリウムは、優(yōu)れた材料物性ゆえ近年注目され始めた最先端の半導(dǎo)體材料です。
FLOSFIAは、酸化ガリウムのなかでも、天然に存在しない特殊な結(jié)晶構(gòu)造「コランダム構(gòu)造」を人工的に合成し、パワーデバイスに応用する技術(shù)開(kāi)発に取り組んできました。
このコランダム構(gòu)造の酸化ガリウムは、低損失化の材料ポテンシャルを示す「バリガ性能指數(shù)」において、従來(lái)材料のシリコンに対して約7,000倍、シリコンカーバイドに対して約20倍となる圧倒的な物性値を示しており(FLOSFIA推定)、電気自動(dòng)車や産業(yè)機(jī)器、民生用小型電源などさまざまな機(jī)器に搭載することで電力変換損失を劇的に低減する効果が期待されます。
GaO?パワーデバイス製品特長(zhǎng)
● 世界初、コランダム型酸化ガリウム GaO?パワーデバイス
● First Product
SBD:Schottky Barrier Diodes
Vrm = 600V / If = 10A
Package:TO-220
他の材料を凌駕する材料物性
材料 | Si | 4H-SiC | GaN |
GaO? (α-Ga2O3) |
---|---|---|---|---|
バンドギャップ Eg (eV) |
1.1 | 3.3 | 3.4 | 5.3 |
バリガ性能指數(shù) | 1 | 340 | 870 |
6,726 (estimate) |
評(píng)価用ボード絶賛発売中
● Future Product
2018年にノーマリーオフ型MOSFETの概念実証に成功済み
成果
■ ノーマリーオフ化に成功!
■ 移動(dòng)度はSiCを凌駕
■ 國(guó)プロにて推進(jìn)中
SDGsへの貢獻(xiàn)
GaO?は株式會(huì)社FLOSFIAの登録商標(biāo)です。
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